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高真空有机金属热蒸发设备客户：暨南大学 
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设备概述及技术指标
设备概述： 电阻加热式蒸发镀膜设备，适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、有机膜、扫描电镜制样等，设备带有半导体真空电性能原位测试功能； 操作简便，占地面积小。 结构及技术指标： 真空室为方形前后开门结构（后侧门为后期与手套箱的连接备用），方便装料与维护；上面装有样品台一套，下面安装分子泵+机械泵机组及蒸发源，左右两侧装有手动蒸发源挡板及膜厚探头，机械手等。有机束源炉及金属蒸发源（钨极）共4套、独立挡板全封闭结构彻底杜绝了交叉污染，（预留4位有机束源炉物理 安装位置）。 样品台具有旋转、升降、加热（室温～300℃）功能，同时装入25mm×25mm样品2块，可在线掩膜“原位+2”次（掩膜板可在尺寸范围内更换）。且每块样品带 有独立的挡板，通过机械手实现真空在线开关（镀膜均匀度±5%以内）； 设备极限真空：6×10负五次方Pa； 漏率为关机12小时≤10Pa（新设备空载，极限真空后关机）； 恢复工作真空时间：≤40min（新设备充氮气空载7×10负四次方 Pa）； |
