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高真空磁控溅射设备
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主要用途及领域
主要用途： 用溅射的方法制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其反应镀膜等适用于制取各种单层膜、多层膜及掺杂膜等。 应用领域： IC半导体元件、磁记录、太阳能利用、光学应用、塑料工业。 靶枪种类： 圆形平面靶、矩形靶。 基本指标： 极限真空5×10负五次方Pa 总体漏放率，关机12小时≤5Pa 配备可旋转、加热、升降的样品挂架 加热温度100℃～600℃连续可调 转速在6～30转/分可调。 |
