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InGaN薄膜材料生长设备为南昌大学制作 主要组成： 可升降束源炉、 射频等离子源、RHEED 、干泵、分子泵、离子泵和冷泵，可自转及公转样品台，上盖升降系统等。 设备极限真空：6×10-7Pa； 真空腔体及零部件的主体材料选用优质316L不锈钢材质，全部采用手工表面精细镜面抛光及电解抛光。设备机架采用304不锈钢制造。 
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设备说明
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InGaN薄膜材料生长设备为南昌大学制作 主要组成： 可升降束源炉、 射频等离子源、RHEED 、干泵、分子泵、离子泵和冷泵，可自转及公转样品台，上盖升降系统等。 设备极限真空：6×10-7Pa； 真空腔体及零部件的主体材料选用优质316L不锈钢材质，全部采用手工表面精细镜面抛光及电解抛光。设备机架采用304不锈钢制造。
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